芬兰阿尔托大学与西班牙加泰罗尼亚理工大学的研究人员这是通过“黑硅”（Black Silicon）技术实现的，开发出了转换效率高达22.1％的太阳能电池单元。
    
    黑硅技术的要点是：通过将表面加工成长度为0.8μm左右的剑山形状，大幅减少了反射；背面电极型；在单元正面和背面形成防复合膜（钝化膜），从而减少了电子与空穴的载流子复合。
    
    阿尔托大学从2012年前后开始开发这项技术。2012年10月达到了18.2％的转换效率，2013年4月提高到了18.7％。此次的试制品将转换效率又提高了3个百分点以上，达到22.1％。此次试制的太阳能电池单元比较大，面积为9cm2。
    
    此次能大幅提高转换效率的原因是，在单元表面形成防复合膜时，采用原子层沉积法形成了氧化铝层，并优化了该层的厚度等，从而大幅减少了载流子复合。此次采用的是厚度为20nm的氧化铝层。
    
    这种太阳能电池采用了独特的表面加工技术，因此，在波长为500～800nm的范围内，电池表面的可见光反射率几乎低于0.5％。基于黑硅技术的太阳能电池非常适合在芬兰等高纬度地区使用。硅太阳能电池每天的发电量要高出3％。