记者7日从中国科学技术大学获悉,该校姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡伟团队通过给发光二极管(LED)“拍片子”,找到了纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因,并成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED。相关研究成果于北京时间5月7日在线发表在国际学术期刊《自然》。
研究团队主要解决了纯红光钙钛矿LED亮度提高时效率骤降的问题。他们自主研发出给LED“拍片子”的“黑科技”——电激发瞬态吸收光谱技术(EETA),通过探测LED内部的电子(负电)和空穴(正电),发现空穴泄漏到电子传输层是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。
研究团队提出一种新的材料结构设计——三维钙钛矿异质结,有效抑制了空穴泄漏。研究人员在钙钛矿晶格内部插入有机分子,改变发光层晶体结构,构建了阻拦空穴离开发光层的“水坝”——宽带隙能垒,在实现载流子限域的同时,保持高迁移率。
研究团队基于三维钙钛矿异质结开发的纯红光钙钛矿LED具有国际领先水平的高性能:峰值外量子效率(EQE)达到24.2%,与顶级OLED(有机发光二极管)水平相当;最大亮度为24600坎德拉/平方米,相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了3倍;并且器件展现出非常低的效率滚降——亮度为22670坎德拉/平方米时,器件依然具有超过10%的EQE。