美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室科学家，通过计算机模拟发现了一种简单却精妙的涂层技术：用氧或氟对二硫化钼进行预处理，就能让下一代芯片晶体管的制造变得更容易，同时不会殃及其他“无辜”的原子。相关论文发表于新一期《物理化学快报》杂志。

芯片内部是数十亿个硅制成的微小晶体管，但硅材料正逼近物理极限。为造出更小、更强的晶体管，科学家把目光投向极薄的过渡金属二硫族化合物，其中的明星候选物便是二硫化钼——它只有3个原子厚，像三明治一样，一层钼夹在两层硫之间。

用这类新材料制造晶体管，关键一步是精准剥去最上层的硫原子，却不伤及下面的钼层。标准做法是借助等离子体，但用等离子轰击材料表面时，必须拿捏一种极其微妙的力道：既能敲掉上方的硫原子，又不损坏下方的钼。这个“刚刚好”的能量窗口异常狭窄，想做到完全无损地去除顶层硫，极其困难。

此次团队发现，如果用氟预处理表面，剥离硫原子所需的能量可从原先的约30电子伏特骤降至约10电子伏特；涂覆氧时，则降至约14电子伏特。

如果在未经处理的表面上操作，敲掉硫原子与打坏钼层之间的界限非常细微，总有一些离子会失手落入危险区。而将阈值压低到10或14电子伏特，相当于把这道窄门豁然推开，为制造商开辟出一个清晰可行的能量区间：硫原子被干净利落地一扫而空，其余部分毫发无损。

该研究并非单靠等离子体的蛮力，而是引入了化学的精巧。当入射离子撞击氧涂层表面，两个氧原子与邻近的硫原子结合，生成稳定的二氧化硫气体分子，自行飘散；氟的作用异曲同工，会生成硫氟化合物“悄然离去”。