近日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括xEV、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。

光大证券指出，受益于新能源汽车、光伏储能、数据中心等拉动，碳化硅器件市场规模将快速增长，国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。

国盛证券认为，碳化硅以其独特的高折射率、高硬度和优异导热性能，能实现更大视场角、解决彩虹效应问题、实现整体轻量化，在AR镜片等领域具有巨大潜力，头部厂商的跑步进场，正加速实现关键技术节点的国产化突破。

天风证券表示，碳化硅衬底包括半绝缘型和导电型，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于通信和国防等领域，导电型碳化硅衬底主要应用于电动汽车和新能源等领域。从市场空间来看，全球碳化硅市场规模预计快速增长。根据yole数据统计，2023年全球碳化硅功率器件市场规模为27亿美元，2029年将达到104亿美元，2023年到2029年的CAGR为25%，2029年碳化硅下游中汽车市场收入占比将提升至82%。

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