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磷化铟
中文名称：
中文别名：
磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块;磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟粉
英文名称：
Indium phosphide
英文别名：
InP;metel basisINDIUM PHOSPHIDE;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer
CAS号：
EINECS号：
244-959-5
分子式：
InP
分子量：
145.79
InChI：
InChI=1/In.P
分子结构：
密度：
4,787 g/cm3
熔点：
-1070°C
沸点：
-
闪点：
-
折射率：
-
蒸汽压：
-
物化性质：
磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。
产品用途：
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
危险品标志：
风险术语：
-
安全术语：
避免接触皮肤、避免接触眼睛、如果发生事故或感到不适，请就医立即提出建议（如有可能，展示标签）、避免接触-使用前获得特殊说明
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