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氧化铪
中文名称：
中文别名：
氧化铪(III);Hafnium (IV)鎜xide (99.998%-Hf) PURATREM;氧化铪 (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV), 99.995%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY <0.2%;氧化铪, 99.95%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY
英文名称：
Hafnium(IV) oxide
英文别名：
HAFNIUM OXIDE, 99.99%;HafniuM(IV) oxide, 99.99%, (trace Metal basis);dioxohafniuM;HafniuM(IV) oxide, (trace Metal basis);Hafnium(IV) oxide powder, 98%;Hafnium oxide/ 99.999%;HAFNIUM OXIDE, 99.8%;HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%
CAS号：
EINECS号：
235-013-2
分子式：
HfO2
分子量：
210.49
InChI：
InChI=1/Hf.2O/rHfO2/c2-1-3
分子结构：
密度：
9.68 g/mL at 25 °C(lit.)
熔点：
-2810 °C
沸点：
-
闪点：
-
折射率：
2.13 (1700 nm)
蒸汽压：
-
物化性质：
-
产品用途：
二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~ 20)，较大的禁带宽度(~ 5.5 eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统 SiO2 介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于 1 μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。
二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
危险品标志：
-
风险术语：
-
安全术语：
不要吸入灰尘、避免接触皮肤、避免接触眼睛
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